Кукушкин Владимир Алексеевич

Факультет естественных, математических и компьютерных наук
Кафедра Прикладной информатики и информационных технологий в образовании
Профессор
Ученая степень: Доктор физико-математических наук
Диссертации: специальность, название: Диссертация на соискании ученой степени кандидата физико-математических наук: «Антисегнетоэлектрический фазовый переход в модели газа двухуровневых молекул» Диссертация на соискании ученой степени доктора физико-математических наук «Разработка методов усиления, генерации и управления инфракрасным и терагерцовым излучением на основе нелинейных и резонансных эффектов в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах»
Год начала работы в Мининском университете: 2019
Общий стаж работы (с какого года): с 1992
Базовое образование: вуз, специальность, дата окончания: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, специальность «физика (прикладная физика и математика)», 1994 год.
Дополнительное образование: тип программы (повышение квалификации, профессиональная переподготовка и прочее), название программы, вуз или организация, год окончания обучения:

Стажировка в области экспериментальной и теоретической нелинейной оптики и лазерной физики в Университете Ватерлоо (Канада) под научным руководством лауреата Нобелевской премии по физике Д. Стрикланд, 2005 г, повышение квалификации по дополнительным профессиональным программам «Электронная информационно-образовательная среда вуза» (объём 72 часа, ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2017 г.) и «Современные подходы в преподавании естественнонаучных дисциплин (в условиях введения ФГОС)» (объём 72 часа, ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018 г.)

Научные интересы (не больше семи): Оптические свойства полупроводников и основанных на них наногетероструктур, нелинейная оптика, физика полупроводниковых лазеров, когерентные и нестационарные режимы взаимодействия электромагнитного излучения с полупроводниками, генерация инфракрасного и терагерцового излучения в полупроводниковых наногетероструктурах, физика искусственного алмаза, физика и химия плазмы газового разряда
Исследовательские проекты (за последние 10 лет): Министерство образования и науки РФ, мегагрант 2017-220-06-230 "Квантовые оптические датчики на алмазах", 2018-2020, исполнитель. Российский фонд фундаментальных исследований, проект 16-02-00450_а "Быстродействующие светодиоды и фотодетекторы на основе наноструктурированных диодов Шоттки", 2016-2018 гг., руководитель. Российский научный фонд, проект 16-19-00163 "Исследование создания 2-х и 3-х мерных структур NV-центров в монокристаллическом CVD алмазе в процессе его синтеза и изучение спиновых состояний NV-центров для применения в области квантовых коммуникаций и вычислений", исполнитель. Министерство образования и науки РФ, мегагрант "Полупроводниковый CVD алмаз для мощных и высокочастотных электронных приборов, исполнитель. Российский фонд фундаментальных исследований, проект 12-02-00855-а "Микроскопическая теория критических явлений в конденсации Бозе-Эйнштейна и сверхтекучести", 2012-2014 гг., исполнитель. Автономная некоммерческая образовательная организация высшего профессионального образования «Сколковский институт науки и технологий», НИР «Энергоэффективные информационные технологии», 01.11.2013 – 31.12.2014, исполнитель. Российский фонд фундаментальных исследований, проект 14-02-00766_а «Формирование электромагнитного излучения на белых карликах, нейтронных звездах, в источниках гамма-всплесков и в активных ядрах галактик при определяющем влиянии магнитного поля и релятивистских плазменных течений», 2014-2016 гг., исполнитель. Российский фонд фундаментальных исследований, проект 13-02-97130-р-"поволжье"_а «Использование двумерной распределенной обратной связи для генерации направленного когерентного излучения в полупроводниковых лазерах с пространственно развитыми активными средами», 2013-2014 гг., исполнитель. Совет по грантам Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых и по государственной поддержке ведущих научных школ Российской Федерации, Ведущая научная школа НШ-1041.2014.2 академика РАН В.В. Железнякова «Взаимодействие электромагнитного излучения с астрофизической и космической плазмой», 2014-2015 гг., исполнитель. Российский фонд фундаментальных исследований, проект 09-02-97043-р_поволжье_а “Разработка частотноперестраиваемого безынверсного лазера дальнего инфракрасного и терагерцового диапазона на полупроводниковых наноструктурах”, 2009-2010, руководитель
Публикации за последние 10 лет:

1. Статьи в реферируемых журналах

 

 

1. V.A. Kukushkin, M.A. Lobaev, S.A. Bogdanov, A.N. Stepanov, S.A. Kraev, A.I. Okhapkin, E.A. Arkhipova, A.V. Zdoroveyshchev, M.V. Ved, Visible and near-infrared photodetector on chemically vapor deposited diamond, Diamond and Related Materials, v. 97, 107444 (2019).

2. В.А. Кукушкин, Резкое уменьшение подвижности дырок при снижении внешним напряжением их двумерной концентрации в дельта-допированных бором слоях алмаза, Физика и техника полупроводников, т. 53, вып. 10, сс. 1437─1443 (2019).

3. В.А. Кукушкин, Моделирование детектора видимого и ближнего инфракрасного электромагнитного излучения на искусственном алмазе, Журнал технической физики, т. 89 (2), сс. 258─263 (2019).

4. Н. В. Байдусь, В. А. Кукушкин, С. М. Некоркин, А. В. Круглов, Д. Г. Реунов, Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов, Физика и техника полупроводников, т. 53 (3), сс. 345─350 (2019)

5. V.A. Kukushkin, Bragg superlattice for obtaining individual photoluminescence of diamond color centers in dense 3D ensembles, Applied Physics A, v. 123, 663 (1─7) (2017).

6. V.A. Kukushkin, M.A. Lobaev, D.B. Radischev, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, V.A. Isaev, A.L. Vikharev, and A.M. Gorbachev, Diamond Bragg superlattice grown in microwave gas discharge for obtaining photoluminescence of single diamond color centers comprising a dense 3D ensemble, European Physical Journal Web of Conferences, v. 149, 02004 (2017).

7. В.А. Кукушкин, Д.Б. Радищев, М.А. Лобаев, С.А. Богданов, А.В. Здоровейщев, И.И. Чунин, Фотодетектор видимого и ближнего инфракрасного диапазона длин волн на основе осажденного из газовой фазы алмаза, Письма в Журнал технической физики, т. 43, вып. 24, сс. 65─71 (2017). 

8. В.А. Кукушкин, Н.В. Байдусь, С.М. Некоркин, Д.И. Курицын, А.В. Здоровейщев, Зависимость кинетики релаксации фотолюминесценции на межзонных переходах в квантовых ямах InGaAs в GaAs от их близости к границе с Au, Оптика и спектроскопия, т. 123, № 5, сс. 757─762 (2017).

9. V.A. Kukushkin, M.A. Lobaev, D.B. Radischev, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, V.A. Isaev, A.L. Vikharev, and A.M. Gorbachev, Bragg superlattices formed in growing chemically vapor deposited diamond, Journal of Applied Physics, v. 120, 224901 (2016).

10. V.A. Kukushkin, Simulation of a perfect CVD diamond Schottky diode steep forward current–voltage characteristic, Physica B: Condensed Matter, v. 498, pp. 1–6 (2016).

11. Н.В. Байдусь, В.А. Кукушкин, Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки, Физика и техника полупроводников, т. 50, № 11, сс. 1576–1582 (2016).

12. V.A. Kukushkin S.A. Bogdanov, Simulation of CVD diamond-based high speed near-infrared photodetectors, Diamond & Related Materials, v. 60, pp. 94–98 (2015)

13. Кукушкин В. А., Байдусь Н. В., Здоровейщев А. В. Диагностика эффективности возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов квантовыми точками с помощью поляризационных измерений выходного излучения // Физика и техника полупроводников, т. 49, вып. 6, стр. 804-809 (2015).

14. Кукушкин В. А. Увеличение радиационного времени жизни экситонов Ванье−Мотта в полупроводниковых нанокластерах // Физика и техника полупроводников, т. 49, вып. 1, стр. 76-81 (2015).

15. V. A. Kukushkin, G. Snider, S. A. Bogdanov, and V. V. Chernov, “Delta-layer doping profile in diamond providing high carrier mobility”, Physica Status Solidi Rapid Research Letters, v. 8, No. 10, pp. 876-879 (2014).

16. V.A. Kukushkin, "Indirect exciton superradiant recombination in diamond: Theory and the perspectives of observation", Journal of Luminescence, v. 138, pp. 164-169 (2013)

17. В.А. Кукушкин, «Моделирование генерации импульсов ультрафиолетового и мягкого рентгеновского излучения в результате кооперативной рекомбинации экситонов в нанокристаллах алмаза, внедренных в полимерную пленку», Физика и техника полупроводников, т. 47, вып. 11, с. 1451-1456 (2013)

18. В.А. Кукушкин, «Радиационное время жизни экситонов Ванье-Мотта в нанокластерах полупроводников с прямой и непрямой зонными структурами», Известия вузов. Радиофизика, т. 56, вып. 7, с. 494–504 (2013)

19. V.A. Kukushkin, "Calculation of the radiative lifetime of Wannier-Mott excitons in nanoclusters", Advances in Nano Research, v. 1, N 3, pp. 125-131 (2013)

20. В.А. Кукушкин, "Генерация частотно-перестраиваемого дальнего инфракрасного и терагерцового излучений оптическими нутациями на внутризонных переходах в асимметричных полупроводниковых наногетероструктурах", Физика и техника полупроводников, т. 46, вып. 12, стр. 1521-1526 (2012).

21. В.А. Кукушкин, "Численное моделирование фонтанного лазера дальнего инфракрасного диапазона на модуляционно допированных наногетероструктурах с квантовыми ямами", Российские нанотехнологии, т. 7, № 9-10, стр. 44-46 (2012).

22. В.А. Кукушкин, "Фонтанный лазер дальнего инфракрасного диапазона на внутризонных переходах в полупроводниковых наногетероструктурах", Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, № 6, стр. 62-67 (2012).

23. V.A. Kukushkin, “Intersubband Rabi Oscillations in Asymmetric Nanoheterostructures: Implications for a Tunable Continuous-Wave Source of a Far-Infrared and THz Radiation”, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, v. 12,  № 6, pp. 4650-4657 (2012).

24. V.A. Kukushkin, “Analytical description of the Stokes coherent cooperative Raman scattering by a subwavelength sample”, Journal of Modern Optics, v. 59, issue 13, pp. 1142-1148 (2012).

25. V.A. Kukushkin, “Proposal for an unstrained nanoheterolaser generating a mainly TM-polarized radiation”, Optics Communications, v. 285, pp. 734–737 (2012).

26. V.A. Kukushkin, Theoretical analysis of quantum well fountain and Raman laser schemes for far-infrared and THz generation. // Journal of Optics. 2011. V. 13. 035001 (7 pages).

27. В.А. Кукушкин, "Безынверсное усиление излучения в полупроводниковых наноструктурах: путь к созданию частотно-перестраиваемого лазера дальнего инфракрасного и терагерцового излучения", Физика и техника полупроводников, т. 44, вып. 11, стр. 1483-1488 (2010).

28. В.А. Кукушкин, "Частотноперестраиваемый безынверсный лазер дальнего инфракрасного и терагерцового диапазона на наногетероструктурах с квантовыми ямами", Письма в Журнал технической физики, т. 36, вып. 3, стр. 7-14  (2010).

29. В.А. Кукушкин, "Эффективная конверсия инфракрасных импульсов в терагерцовые в волноведущих полупроводниковых гетероструктурах", Физика и техника полупроводников, т. 44, вып. 1, стр. 109-113 (2010).

30. V.A. Kukushkin, "Proposal for an Inversionless Tunable Far-Infrared and THz Room-Temperature Laser on a Quantum Well Semiconductor Nanostructure" // IEEE Journal of Quantum Electronics, v. 46, issue 5, pp. 666-673 (2010).

31. V.A. Kukushkin, "Proposal for an inversionless tunable THz laser driven by room-temperature mid-infrared quantum cascade lasers" // Semiconductor Science and Technology, v. 25, 125008 (8 pages) (2010).

32. V.A. Kukushkin, "How to achieve lasing in a system with the strong lifetime broadening of working levels?" // Physics Letters A, v. 374, pp. 687-690 (2010).

 

2. Публикации в трудах и тезисах научных конференций

 

 

1. В.А. Кукушкин, Резкое уменьшение подвижности дырок при снижении внешним напряжением их двумерной концентрации в дельта-допированных бором проводящих каналах полевых транзисторов на алмазе, Труды XXIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 11─14 марта 2019 г., г. Нижний Новгород, из-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, т. 2, сс. 728─729 (2019).

2. В.А. Кукушкин, Теоретический предел на максимальную рабочую частоту алмазных полевых транзисторов с дельта допированными проводящими каналами, Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 12─15 марта 2018 г., г. Нижний Новгород, из-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, т. 2, сс. 681─682 (2018).

3. В.А. Кукушкин, Н.В. Байдусь, С.М. Некоркин, Д.И. Курицын, А.В. Здоровейщев, Ускорение релаксации фотолюминесценции на межзонных переходах в квантовых ямах InGaAs в GaAs за счёт возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов на границе GaAs с Au, Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 12─15 марта 2018 г., г. Нижний Новгород, из-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, т. 2, сс. 683─684 (2018).

4. Кукушкин В.А., Теоретические пределы быстродействия сверхвысокочастотных полевых транзисторов на основе осаждённого из газовой фазы алмаза, Труды VI Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и микроэлектроника СВЧ», 29 мая─1 июня 2017 г., г. С.-Петербург, из-во Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), сс. 208─212 (2017).

5. В.  А.  Кукушкин, М. А. Лобаев, Д. Б. Радищев, С. А. Богданов, М. Н. Дроздов, В. А. Исаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачёв, Брэгговская сверхрешётка в осаждённом из газовой фазы алмазе, Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13─16 марта 2017 г., г. Нижний Новгород, из-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, т. 2, сс. 635─636 (2017).

6. V.A. Kukushkin, M.A. Lobaev, D.B. Radischev, S.A. Bogdanov, M.N. Drozdov, V.A. Isaev, A.L. Vikharev, and A.M. Gorbachev, Diamond Bragg superlattice grown in microwave gas discharge for obtaining photoluminescence of single diamond color centers comprising a dense 3D ensemble, Proceedings of the 10th International Workshop “Strong Microwaves and Terahertz Waves: Sources and Applications”, Nizhny Novgorod─Moscow, 17─22 July, 2017, Nizhny Novgorod, Institute of Applied Physics Press, pp. 56─57 (2017).

7. В.А. Кукушкин, С.А. Богданов, Моделирование быстродействующих фотодетекторов ближнего инфракрасного диапазона на наноструктурах из искусственного алмаза, Труды XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (14–18 марта 2016 г., г. Нижний Новгород), Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, т. 2, сс. 642–643 (2016).

8. Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, В.А. Кукушкин, Д.С. Абрамкин, Влияние поляризации излучения квантовых точек InAs/GaAs на свойства поверхностных плазмон-поляритонов, Труды XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (14–18 марта 2016 г., г. Нижний Новгород), Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, т. 2, сс. 484–485 (2016).

9. V.A. Kukushkin, G. Snider, S.A. Bogdanov, V.V. Chernov, Simulation of delta-layer doping profile in CVD diamond providing high carrier mobility, Proceedings of VI International Conference “Frontiers of Nonlinear Physics” (July 17–23, 2016, Nizhny Novgorod–St. Petersburg) Institute of Applied Physics RAS Press, pp. 324–325 (2016).

10. Кукушкин В. А., Байдусь Н. В. Использование поляризационных измерений для определения эффективности возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов квантовыми точками // Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (10–14 марта 2015 г., г. Нижний Новгород), Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, т. 2, сс. 557–558 (2015).

11. Кукушкин В. А., G. Snider, Богданов С. А., Чернов В. В. Расчёт профиля дельта-легированного слоя алмаза, обеспечивающего высокую подвижность дырок // Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (10–14 марта 2015 г., г. Нижний Новгород), Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, т. 2, сс. 559–560 (2015).

12. В.А. Кукушкин, «Увеличение радиационного времени жизни экситонов Ванье-Мотта в нанокластерах прямозонных узкозонных полупроводников, внедрённых в широкозонные полупроводники», Труды XVIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (10–14 марта 2014 г., г. Нижний Новгород), Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, т. 2, сс. 521–522 (2014).

13. В.А. Кукушкин, «Численное моделирование генерации импульсов ультрафиолетового и мягкого рентгеновского излучения в результате сверхизлучательной рекомбинации экситонов в нанокристаллах алмаза, внедрённых в полимерную плёнку», Труды XVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (11–15 марта 2013 г., г. Нижний Новгород), изд-во Института физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород, т. 2, с. 498–499 (2013).

14. В.А. Кукушкин, «Наногетеролазер с ненапряжёнными квантовыми ямами, генерирующий в основном ТМ-поляризованное излучение», 3-й симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология» (г. Санкт-Петербург, 13–16 ноября 2012 г.), издательство ФТИ им. А.Ф. Иоффе, г. Санкт-Петербург, 2012 г., с. 28.

15. В.А. Кукушкин, «Численное моделирование источника непрерывного дальнего инфракрасного и терагерцового излучения, основанного на импульсном возбуждении осцилляций Раби в  полупроводниковых наногетероструктурах с асимметричными квантовыми ямами», Труды XVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.), Издательство Института физики микроструктур РАН , г. Нижний Новгород, , т. 1, сс. 297-298 (2012) 

16. П.А. Калинин, Е.Р. Кочаровская, Вл.В. Кочаровский, В.А. Кукушкин, «Особенности генерации и когерентность импульсов сверхизлучающих лазеров на многослойных брэгговских гетероструктурах с субмонослойными квантовыми точками в условиях самосинхронизации продольных мод», Труды III Симпозиума по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур (28–30 ноября 2011 г., Москва–Звенигород), издательство ФИАН им. П.Н. Лебедева, г. Москва, сс. 71–81 (2012). 

17. В.А. Кукушкин, «Фонтанные лазерные схемы дальнего инфракрасного диапазона на полупроводниковых наногетероструктурах», Труды XV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2011 года, г. Нижний Новгород. Издательство Учреждения Российской академии наук Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород. 2011. Т. 2. С. 500-501.

18. С.А. Блохин, Н.Ю. Гордеев, Л.Я. Карачинский, Е.Р. Кочаровская, Вл.В. Кочаровский, В.А. Кукушкин, И.И. Новиков, Предельные длительность и мощность импульсов сверхизлучающих лазеров на многослойных гетероструктурах с субмонослойными квантовыми точками», Труды XV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2011 года, г. Нижний Новгород. Издательство Учреждения Российской академии наук Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород. 2011. Т. 1. С. 64-65.

19. V.A. Kukushkin, “Amplification of far-infrared and THz pulses due to optical pulse conversion in semiconductor nanostructures”, Proceedigs of the 19-th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", 20 – 25 June, 2011. Ekaterinburg, Russia. Ioffe Physical-Technical Institute Press, 2011, pp. 160-161.

20. В.А. Кукушкин, «Безынверсное усиление излучения в полупроводниковых наноструктурах с квантовыми ямами: путь к созданию частотно-перестраиваемого дальнего инфракрасного и ТГц лазера», Труды XIV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (15–19 марта 2010 г., г. Нижний Новгород), т. 2, стр. 456-457, издательство Учреждения Российской академии наук Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород, 2010 г.

 

3. Патенты на изобретения

 

 

1. В.А. Кукушкин, Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски // Патент РФ на изобретение № 2643694, зарегистрировано 05.02.2018, опуб. 05.02.2018, бюл. № 4, МПК H01S 3/16 (2006.01), G02B 27/48 (2006.01), H01L 33/06 (2010.01), C30B 29/04 (2006.01).

2. В.А. Кукушкин, Способ получения фотолюминесценции отдельных центров окраски в осаждённом из газовой фазы алмазе // Патент РФ на изобретение № 2655026, зарегистрировано 23.05.2018, опуб. 23.05.2018, бюл. № 15, МПК B82Y 20/00 (2011.01) G01N 21/64 (2006.01).

3. Полевой транзистор на осаждённой из газовой фазы алмазной плёнке с дельта-допированным проводящим каналом, патент РФ на изобретение № 2581393, заявка 2014152493 от 25 декабря 2014, зарегистрирован 24.03.2016, МПК H01L 29/778, опуб. 20.04.2016, бюл. № 11. 

4. Частотно-перестраиваемый источник когерентного излучения дальнего инфракрасного и терагерцового диапазона на полупроводниковой наногетероструктуре, патент РФ на изобретение № 2478243, заявка 2011146035 от 11 ноября 2011 г., зарегистрирован 27 марта 2013 г., МПК H01S 5/34, B82B 1/00, опуб. 27.03.2013, Бюл. 9.

 

4. Учебно-методические издания 

 

 

В.А. Кукушкин, Сегнетоэлектричество в ансамбле двухуровневых молекул, учебно-методическое пособие Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, из-во Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 18 с. (2017).

 

 

Курсы и дисциплины (только те, которые преподаются в Мининском университете в настоящее время): Фазовые состояния и переходы Теория конденсированной среды Оптические явления в природе
Контактный телефон: 9535590466
E-mail: vakuk@appl.sci-nnov.ru
Адрес работы (основное присутственное место в университете): Каф. Прикладной информатики и информационных технологий в образовании, ауд.334. корп.1
Присутственные часы на кафедре: Вторник с 12 до 13 30